专利摘要:

公开号:WO1991004119A1
申请号:PCT/JP1990/001171
申请日:1990-09-12
公开日:1991-04-04
发明作者:Nobuyuki Kitagawa;Toshio Nomura
申请人:Sumitomo Electric Industries, Ltd.;
IPC主号:B22F3-00
专利说明:
[0001] 明 細 書
[0002] 超硬合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法 技術分野
[0003] この発明は、 超硬合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法 に関するものであり、 特に、 超硬合金粉末またはサーメ ッ ト合金粉末を射出成形法によつて所定の形状に成形した後 に有機バイ ンダを除去して焼結する超硬合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法に関するものである。
[0004] 背景技術
[0005] 超硬合金やサーメ ッ ト合金は高融点材料である。 そのた め、 超硬合金焼結体やサーメ ッ ト合金焼結体を得る場合に は、 従来から、 粉末原料をプレス成形または C I P成形し た後に焼結するという粉末冶金法が採用されている。 しか しながら、 この方法では、 製造可能な形状に制約が多い。 複雑な最終形状を得るためには、 焼結後にダイヤモン ド砥 石によつて焼結体の研削を行なう こ とが必要になり、 非常 なコス ト高を招いていた。
[0006] プラスチッ クを射出成形法によって成形するこ とが広く 知られている。 特公昭 6 2 - 3 3 2 8 2号公報には、 金属 粉末またはセラ ミ ッ クス粉末を有機バイダと混練し、 これ を射出成形によつて複雑な形状の物品に成形する方法が開 示されている。
[0007] しかしながら、 超硬合金やサーメ ッ ト合金に粉末射出成 形技術を適用した場合には、 次のような問題が生じる。 す なわち、 超硬合金粉末やサーメ ッ ト合金粉末は、 その粒径 が約 Ι μ πιと微粉である。 さ らに、 これらの合金はその比 重が大きい。 さ らに、 合金中の炭素濃度の許容量が小さい。 このような超硬合金やサーメ ッ ト合金の材質的性質のため、 脱バイ ンダ処理中に変形や欠陥が生じやすい。 しかも、 有 機パイ ンダの分解による残留炭素の影響によって、 良質な 合金が得られない。 このような問題を回避するためには、 非常に長時間の脱バイ ンダ処理を行なう ことが必要となる。 以上のような問題点が存在するため、 超硬合金およびサー メ ッ ト合金に対する射出成形技術はいまだほとんど実用化 されていない。
[0008] 発明の開示
[0009] この発明の目的は、 射出成形法によって効率よく超硬合 金粉末またはサーメ ッ ト合金粉末を成形し、 その後の脱バ ィ ンダ処理および焼結処理を経て高品質の超硬合金または サ一メ ッ ト合金を得ることのできる方法を提供することで ある ο
[0010] この発明の他の目的は、 脱バイ ンダ処理時に成形体の変 形や欠陥を生じさせない方法を提供することである。
[0011] この発明のさ らに他の目的は、 脱バイ ンダ処理を短時間 で行なう ことのできる方法を提供することである。
[0012] この発明にとって前提となるべき超硬合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法は、 超硬合金粉末またはサーメ ッ ト合 金粉末を有機バイ ンダと混合 · 混練する工程と、 この混合 粉末を射出成形法によつて所定の形状に成形する工程と、 その後この成形体から有機バイ ンダを除去して焼結するェ 程とを備えている。 このような方法において、 この発明は、 有機バイ ンダの除去を、 第 1除去工程と してまず不活性ガ ス雰囲気中で行ない、 引続いて第 2除去工程と して 1 T 0 r r以下の真空中で行なう こ とを特徴とする。
[0013] この発明の 1つの局面では、 有機バイ ンダは、 低温で除 去可能なグループと高温で除去されるグループとに区分さ れる複数種類のバイ ンダを含む。 有機バイ ンダ中の各バイ ンダの組成は、 有機バイ ンダのみの不活性ガス大気圧加熱 減量テス ト (T G ) において低温除去グループが全体の 3 0 %減量したとき、 高温除去グループの減量率が 5 %以内 となる条件を満たすように選ばれている。 好ま し く は、 低 温除去グループに属するバイ ンダの有機バイ ンダ全体に占 める割合は、 3 0 %以上 9 0 %以下とされる。
[0014] この発明の他の局面では、 第 1除去工程から第 2除去ェ 程へ移行する温度は、 次のような条件を満たすように選ば れている。 その条件とは、 低温除去グループに属するバイ ンダの除去された量が、 有機バイ ンダ全体に対して 3 0 % 以上となり、 かつ高温除去グループに属するバイ ンダの残 留割合が、 有機バイ ンダ全体に対して 5 %以上である とい う条件である。 低温除去グループの主成分となるバイ ンダ と しては、 親水性の極性基を持つ融点 8 0 °C以下のヮ ッ ク ス類が好ま しい。 上述のような方法によつて成形体中の有機バイ ンダを除 去した後に、 引続いて焼結処理を施すようにしてもよい。 あるいは、 有機バイ ンダを除去した後に、 一度冷却し、 そ の後に焼結するようにしてもよい。
[0015] 射出成形体は、 粉末とバイ ンダとで構成されており、 空 隙はほとんどない。 この状態で成形体を昇温すると、 まず バイ ンダの膨張によつてバイ ンダが流出し、 次に表面から の蒸発によつて脱バイ ンダが進む。 このような過程によつ て 3 0 %の脱バイ ンダが進行すると、 成形体の内部に表面 まで連通している細孔が形成される。 成形体の内部に発生 したガスは、 この細孔を通って除去され、 脱バイ ンダがさ らに進行する。 しかしながら、 脱バイ ンダが 3 0 %未満の 状態で成形体内部にガスが発生するような場合には、 成形 体に割れや膨れが生じてしま う。 このような成形体の割れ や膨れを生じさせないためには、 脱バイ ンダが 3 0 %に到 達するまでは、 緩やかな昇温速度で成形体内部でのガスの 発生を抑えなければならない。 そのため、 脱バイ ンダ処理 は長時間を必要とする。 バイ ンダと しては、 可塑剤と して のワ ッ クス類と結合剤と しての高分子樹脂類とが必要とな る。 ワ ッ クス類は、 低温で分解するこ となく蒸発するので、 脱バイ ンダを比較的容易に行なう ことができる。 一方、 高 分子樹脂類は、 分解によって多量のガスを発生するので、 脱バイ ンダの初期において成形体に欠陥を生じさせやすい。
[0016] 本願発明者は、 上述のような点に着目 し、 本発明を成す に至ったものである。 具体的には、 ワ ッ クス類が全体の 3 0 %以上除去される温度に到達しても、 分解を開始しない 高分子樹脂を選択し、 この高分子樹脂とワ ッ クス類とを混 合する。 脱バイ ンダ処理の初期状態においては、 ワ ッ クス 類のみの蒸発によって 3 0 %以上の脱バイ ンダを進行させ、 成形体内部に連続した細孔を形成する。 細孔が形成された 後に、 高分子樹脂の分解が開始されるようにする。
[0017] 低温除去グループの主成分ワ ッ クスと して、 へキス ト ヮ ッ クス、 カルナゥバワ ッ クス、 モンタ ンワ ッ クス、 ォゾケ ライ ト ワ ッ クス、 ォゥ リ キユ リ ワ ッ クス、 キャ ンデリ ラ ヮ ッ クス、 ビーワ ッ クス、 マイ ク ロク リ スタ リ ンワ ッ クス等 が挙げられる。 高温除去グループのバイ ンダと しては、 低 密度ポリ エチレン、 低分子量ポ リ エチ レン、 エチ レン酢酸 ビニル、 ポ リ プロ ピレン、 ァク リ ル樹脂等が挙げられる。 脱バイ ンダ処理の初期状態では、 雰囲気圧力を大気圧以 上に保持することによって、 成形体に欠陥が生じるのを防 止する。 成形体内部に連続的な細孔が形成された後では、 雰囲気圧力を減圧状態にし、 あるいは真空に近い状態にす る こ とによって、 ガスの表面からの蒸発や、 成形体内部に 発生したガスの離脱を促進する。
[0018] 射出成形体の強度に注目 してみる。 結合剤である高分子 樹脂が除去されてしま う と、 極度に粉末粒子間の結合力が 低下し、 比重の大きい超硬合金等は崩壌してしま う。 これ を防ぐためには、 合金を形成する粉末同士を結合させて強 度を得ることが必要である。 しかしながら、 合金粉末の表 面は薄い酸化膜で覆われているので、 拡散による結合が生 じにく い。 本願発明者は、 結合剤の除去を真空状態で実施 すれば、 合金粉末の表面が周囲の炭素によって還元され、 その結果粉末間の結合力が生じることを見出した。 こう し て、 本願発明では、 真空状態での脱バイ ンダを促進するこ とによって、 粉末粒子同士を結合させる。 粉末粒子同士が 結合していれば、 脱バイ ンダが終了するまで成形体は崩壌 するこ とがない。 本願発明の好ま しい実施例では、 脱バイ ンダ処理を第 1除去工程および第 2除去工程の 2段階で行 なっている。 第 1除去工程は大気圧雰囲気下で行なわれ、 第 2除去工程は真空雰囲気下で行なわれる。 第 1除去工程 から第 2除去工程へ移行する際には、 結合剤が少なく とも 5 %は残留している必要がある。 もしも結合剤の残留量が 5 %以下であれば、 粉末粒子同士の結合力が生じる前に成 形体は崩壌してしま う。
[0019] 次に、 脱バイ ンダ処理の雰囲気について述べる。 第 1除 去工程は、 N 2 や A rのような不活性ガス雰囲気中で行な うのが望ま しい。 脱バイ ンダ処理を空気等の酸化棼囲気中 で行なう と、 脱バイ ンダの進行途中で C o、 i 等の表面 酸化が進行してしまう。 このような表面酸化層が存在して いると、 第 2除去工程において還元による結合力が低下し てしま う。 また、 脱バイ ンダが進行して周囲雰囲気に露出 している部分のみの酸化が進行するため、 合金内の炭素濃 度が不均一となり、 焼結時の液相出現温度が不均一となり、 寸法精度を大き く低下させてしま う。 第 2除去工程を真空 中ではなく H 2 雰囲気中で行なう こ とによって合金粉末表 面の酸化膜の還元を図ることが考えられる。 しかし、 H 2 雰囲気中で脱バイ ンダ処理を行なえば、 超硬合金またはサ ーメ ッ ト合金の硬質相形成成分である炭化物の Cと水素と が反応し、 C H 4 を生成させる反応も同時に生じる。 その ため、 合金の炭素量を低下させてしま う こ とになる。
[0020] 次にワ ッ ク スの種類について述べる。 超硬合金粉末ゃサ —メ ッ ト合金粉末の表面は親水性である。 一方、 n —パラ フィ ン等のワ ッ クスは疎水性である。 そのため、 n —パラ フィ ン等のワ ッ クスと超硬合金粉末またはサーメ ッ ト合金 粉末との濡れ性は悪い。 そのため、 射出成形に必要な粘度 を得るためには、 より多く のワ ッ クスを用いるこ とが必要 になってく る。 本願発明者は、 種々のワ ッ ク スを検討した 結果、 親水性の極性基を持つある種の天然ワ ッ ク スを使え ば、 バイ ンダの量を低減できるこ とを見出した。 また、 射 出成形時に金型から成形体を取出す際、 ワ ッ ク スは脆いの で成形体が壌れ易い。 このような破壊を防止するためには、 少な く と も融点が 8 0 °C以下のヮ ッ クスを使用する こ と力く 望ま しい。 親水性の極性基を持つ融点 8 0 °C以下のヮ ッ ク スであれば、 合成のものであっても天然のものであっても その効果に変わりはない。 なお、 滑剤と してステア リ ン酸 等を用いる場合があるが、 そのような微量添加剤を使用 し ても本発明の効果に変わり はない。
[0021] 発明を実施するための最良の形態
[0022] 実施例 1
[0023] 粒径 2〜4 ^ 111の WC粉末 8 0 %、 粒径 1〜 2 mの T i C粉末 1 0 %、 粒径 2〜 4 mの C 0粉末 1 0 %を湿式 ボールミ ルにて 3時間混合し、 乾燥した。 この混合粉末 1 0 0 %に対してビーワッ クス 6. 0 %、 低分子量ポリエチ レン 1. 0 %を添加し、 1 2 0°Cでそれらを 3 0分間混練 した。 次に、 この原料混合体を冷却固化した後に粉砕し、 粒径 0. 5〜 2. 0 mmの原料粒を作製した。 次に、 スロ —ァゥヱイチップの形状をした金型 (2 0 x 2 0 x 6 mm) にて射出成形を行なって成形体を作製した。 成形体を炉内 に配置し、 炉内を A r雰囲気で 1気圧に保った。 A rの流 量を 3 H 分の条件で 4 2 5 °Cまで 8 °CZ時間の昇温速度 で炉内を昇温し、 脱バイ ンダ処理を行なった。 次に、 真空 ポンプで炉内を 0. 5 T o r r以下に保つた状態で昇温速 度 5 0 °Cノ時間で 7 0 0 °Cまで炉内を昇温し、 1時間その 温度に保持した後に冷却した。 こう して、 脱バイ ンダ処理 を終了した。 次に、 炉内を 0. 0 5 T o r rの真空にして 1 4 0 0 °Cまで 2 0 0 °CZ時間で昇温し、 その温度で 1時 間保持した後に冷却した。 こ う して得られた焼結体には、 何の欠陥もなく 合金の特性と しても良好であった。 なおこ の実施例で用いたバイ ンダの加熱減量テス トを実施したと ころ、 Nゥ の 1気圧の条件下にて 4 2 5 °Cまでにピーワ ッ クスは 9 5 %減量した。 また、 4 2 5 °Cで低分子量ポリエ チレンの減量は 1 3 %であった。
[0024] 実施例 2
[0025] 粒径 0. 5〜 2 111の 0粉末 9 0 %、 粒径 2〜 4 m の C 0粉末 1 0 %を湿式ボールミ ルにて 2 0時間混合し、 乾燥した。 この混合粉末 1 0 0 %に対しカルナゥバヮ ック ス 5. 5 %、 低分子量ポリ プロ ピレン 1. 0 %を添加し、 1 4 0 °Cで 3 0分間混練した。 次に、 この原料混合体を冷 却固化した後に粉砕し、 粒径約 0. 5〜2. 0 mmの原料 粒を作製した。 次に、 スローァゥヱイチップの形状をした 金型 (2 0 x 2 0 x 6 mm) にて射出成形を行なった。 こ の成形体を炉内に配置した。 炉内は、 A r雰囲気下で 1気 圧であり、 流量 3 JL Z分の条件下で 4 3 0 °Cまで 1 0°CZ 時間の昇温速度で昇温して初期の脱バイ ンダ処理を行なつ た。 次に、 真空ポンプで炉内を 0. 2 T o r r以下に保つ た状態で昇温速度 5 0 °C/時間で 7 0 0 °Cまで昇温し、 そ の温度で 1時間保持した。 こ う して、 脱バイ ンダ処理を終 了した。 その後、 炉内を 0. 0 5 T o r rの真空にて 1 3 5 0 °Cまで 2 0 0 °CZ時間で昇温し、 その温度で 1時間保 持した後に冷却した。 こ う して得られた焼結体には何の欠 陥もなく 、 合金の特性と しても良好であった。 なお、 この 実施例で用いたバイ ンダに対して加熱減量テス トを実施し たところ、 N2 、 1気圧の条件にて 4 3 0 °Cまでにカルナ ゥバワ ッ ク スは 9 2 %減量した。 また、 4 3 0 °Cで低分子 量ポリ プロ ピレンの減量は 8 %であった。
[0026] 実施例 3
[0027] 粒径 0. 1〜 1 mの W C粉末 8 8 %、 粒径 2〜 4 m の C 0粉末 6 %、 粒径 2〜 4 ^ mの N i粉末 6 %を湿式ボ —ルミ ルにて 2 5時間混合し、 乾燥した。 この混合粉末 1
[0028] 0 0 %に対しビーワ ッ クス 0. 5 %、 n—パラフィ ン 4. 5 %、 ステア リ ン酸 0. 2 %、 エチレン酢酸ビニル 0. 5 %、 低分子量ポリエチレン 1. 0 %を添加し、 1 2 0 °Cで 3 0分間混練した。 次に、 この原料混合体を冷却固化した 後に粉砕し、 粒径約 0. 5〜2. 0 mmの原料粒を作製し た。 次に、 スローァゥヱイチップの形状をした金型 ( 2 0 X 2 0 X 6 mm) にて射出成形を行なった。 この成形体を 炉内に配置した。 炉内を N2 雰囲気で 1気圧にし、 流量 2
[0029] 1 Z分の条件下で 3 8 0 °Cまで 1 3 °C /時間の昇温速度で 昇温し、 初期の脱バイ ンダ処理を行なった。 次に、 真空ポ ンプで炉内を 0. 5 T 0 r r以下に保った状態で昇温速度 5 0 °C/時間で 7 0 0 °Cまで昇温し、 その温度で 1時間保 持した後に冷却した。 こ う して、 脱バイ ンダ処理を終了し た。 次に、 炉内を 0. 0 5 T o r rの真空にして 1 3 5 0 °Cまで 2 0 0 °CZ時間で昇温し、 その温度で 1時間保持し た後に冷却した。 こ う して得られた焼結体には、 何の欠陥 もなく、 合金の特性と しても良好であった。 なお、 この実 施例で用いたバイ ンダに対して加熱減量テス トを実施した ところ、 N2 、 1気圧の条件にて 3 8 0 °Cまでにビーヮ ッ クスは 6 0 %、 n—パラフィ ンは 1 0 0 %減量した。 また、 3 8 0 °Cで低分子量ポ リエチ レンの減量は 7. 0 %、 ェチ レン酢酸ビニルの減量は 1 0 %であった。
[0030] 実施例 4
[0031] 粒径 1〜 2 mの W C粉末 8 8 %、 C o粉末 1 2 %を湿 式ボールミ ルにて 1 5時間混合し、 乾燥した。 この混合粉 末 1 0 0 %に対しモンタ ンワ ッ クス 5. 5 %、 低密度ポリ エチレン 0. 8 %を添加し、 1 2 0 °Cで 3時間混練した。 次に、 この原料混合体を冷却固化した後に粉碎して粒径約 0. 5〜2. 0 mmの原料粒を作製した。 次にスローァゥ エイチップの形状をした金型 (2 0 x 2 0 x 6 mm) にて 射出成形を行なった。 この成形体を、 炉内に配置した。 炉 内は A r雰囲気で 1気圧にし、 流量 3 it 分の条件で 3 5 0 °Cまで 1 0 °CZ時間の昇温速度で昇温し、 初期の脱バイ ンダ処理を行なった。 次に、 真空ポンプで炉内を 0. 5 T 0 r r以下に保った状態で昇温速度 5 0 °〇 時間で 6 5 0 °Cまで昇温しその温度で 1時間保持した後に冷却し脱バイ ンダ処理を終了した。 次に、 炉内を 0. 0 5 T o r rの真 空にして 1 4 0 0 °Cまで 2 0 0 °CZ時間で昇温し 1時間保 持した後に冷却した。 こ う して得られた焼結体には、 何の 欠陥もな く 合金の特性と しても良好であった。 この実施例 で用いたバイ ンダに対して加熱減量テス トを実施したとこ ろ、 N2 、 1気圧の条件にて 3 5 0 °Cまでにモンタ ンヮ ッ クスの減量は 9 3 %、 3 5 0 °Cで低密度ポ リ エチ レンの減 量は測定上 0 %であつた。
[0032] 実施例 5
[0033] 粒径 0. 5〜: L zmのサーメ ッ ト粉末 (T i C N 5 0 %、 T a C 1 0 %、 M 02 C 1 2 %、 W C 1 3 N i 5 %、 C o 1 0 %) を湿式ボールミ ルにて 1 0時間混合し、 乾燥 した。 この混合粉末 1 0 0 %に対しモンタ ンワ ッ ク ス 7. 8 %、 n—パラフィ ン 2. 7 %、 低密度ポリエチレン 2. 7 %、 ステアリ ン酸 0. 3 %を添加し、 1 2 0 °Cで 3時間 混練した。 次に、 この原料混合体を冷却固化した後に粉砕 し、 粒径約 0. 5〜2. 0 mmの原料粒を作製した。 次に、 直径 1 0 mmのボールェン ド ミ ル形状の金型へ射出成形を 行ない、 成形体を得た。 この成形体を炉内に配置した。 炉 内は A r雰囲気で 1気圧と し、 流量 3 分の条件下で 3 5 0°Cまで 1 0 °CZ時間の昇温速度で昇温し、 初期の脱バ イ ンダ処理を行なった。 次に、 真空ポンプで炉内を 0. 5 T 0 r r以下に保つた状態で昇温速度 5 0で 時間で 6 5 0 °Cまで昇温し、 その温度で 1時間保持した後に冷却して 脱バイ ンダ処理を終了した。 次に、 炉内を 0. 0 5 T 0 r rの真空にして 1 4 0 0 °Cまで 2 0 0 °CZ時間で昇温し 1 時間保持した後に冷却し、 その後 1 3 5 0 °Cで H I P処理 を行なった。 こ う して得られた焼結体には、 何の欠陥もな く 、 合金の特性と しても良好であった。 この実施例で用い たバイ ンダに対して加熱減量テス トを実施したところ、 N 2 、 1気圧の条件にて 3 5 0 °Cまでにモンタ ンワ ッ クスの 減量は 9 3 %であり、 n—パラフィ ンの減量は 1 0 0 %、 また、 3 5 0 °Cで低密度ポリ プロ ピレンの減量は測定上 0 %であった。
[0034] 実施例 6
[0035] 実施例 1 と同じ条件で複数個の原料粒成形体を作製した。 これらの成形体に対し、 脱バイ ンダ処理の第 1除去工程に おける昇温速度および第 2除去工程への移行温度を変化さ せて、 脱バイ ンダ後の状態を調べた。 その結果を、 第 2表 に示す。 また、 ビーワッ クスおよび低分子量ポリエチレン ( P E ) の加熱減量テス トの結果を第 1表に示す。 第 1表 および第 2表の結果から明らかなように、 本発明方法によ れば、 脱バイ ンダ後の状態が良好であり、 脱バイ ンダ時間 の短縮化が図れる。
[0036] (以下余白)
[0037] 第 1表
[0038] 加熱驢率 (N2 latm, 10。C/分昇温)
[0039]
[0040] 第 2表
[0041] 第 2除去工程への移行温度テスト結果
[0042]
[0043] 〇印:本発明方法 a 0. 86 b 0. 14 実施例 7
[0044] 実施例 1 と同様の合金粉末を用い、 バイ ンダ組成と して ビーワ ッ クスと低分子量ポリエチレン (P E) との割合を 変化させたサンプル 8種類を作製し (テス ト N o. 1 0〜 1 7) 、 脱バイ ンダテス トを実施した。 その結果を、 第 3 表に示す。 第 1除去工程から第 2除去工程への移行温度は. 4 5 0 °Cと した。 第 3表の結果から明らかなように、 本発 明の組成が良好であることが認められる。 第 3表
[0045] テスト条件と結果
[0046]
[0047] (注)
[0048] 〇印:本発明方法
[0049] バインダ組成は合金粉末 100%に対する割合 実施例 8
[0050] 実施例 3と同様の合金粉末を用い、 バイ ンダの種類と組 成とを変化させて脱バイ ンダテス トを実施した。 その結果 を第 4表に示す。 なお、 脱バイ ンダ条件は実施例 3と同じ であった。 テス ト N o. 1 8〜 2 0は、 良好な射出と脱バ イ ンダとが可能であった。 しかし、 II —パラフィ ンを用い たテス ト N o. 2 1は、 n—パラフィ ンの量を増加しなけ れば良好な射出ができなかつた。 また、 テス ト N o. 22 は、 脱バイ ンダ処理において変形を生じた。 ビ一ワッ クス と n—パラフィ ンとを 1Z1で混合したテス ト N o. 23 は、 若干のバイ ンダ量の追加を要したが、 脱バイ ンダ時の 変形は見られなかつた。
[0051] 第 4表
[0052] ヮックスの種類と結果
[0053]
[0054] (注)
[0055] 〇印:本発明方法
[0056] バイ ンダ組成は合金粉末 100%に対する割合 実施例 9
[0057] 第 2表のテス ト N o . 5 と同様の製造方法において、 第 1除去工程および第 2除去工程の雰囲気を、 第 5表のテス ト N o . 2 4〜 3 0に示すごと く変化させた。 第 5表の結 果から明らかなように、 本発明の雰囲気が有効であること が認められる。 テス ト N 0. 2 6および 2 9 の試料は、 脱 バイ ンダ時に崩壌したので、 焼結工程までは進めなかつた c その他の試料は焼結工程まで進むことができた。 第 5表
[0058]
[0059] 〇印:本発明方法 産業上の利用可能性
[0060] この発明は、 超硬合金粉末またはサーメ ッ ト合金粉末を 射出成形法によつて所定の形状に成形した後に有機バイ ン ダを除去して焼結する超硬合金またはサーメ ッ ト合金の製 造方法に有効に利用される。
权利要求:
Claims請求の範囲
1 . 超硬合金粉末またはサーメ ッ ト合金粉末を有機バイ ンダと混合 · 混練し、 この混合粉末を射出成形法によって 所定の形状に成形し、 その後この成形体から有機バイ ンダ を除去して焼結することによって緻密な合金を得る、 超硬 合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法において、
前記有機バイ ンダの除去を、 第 1除去工程と してまず不 活性ガス雰囲気中で行ない、 引続いて第 2除去工程と して 1 T 0 r r以下の真空中で行なう ことを特徴とする、 超硬 合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法。
2 , 前記有機バイ ンダは、 低温で除去可能なグループと 高温で除去されるグループとに区分される複数種類のバイ ンダを含み、
i 種類のバイ ンダを含む低温除去グループの各バイ ンダ の有機バイ ンダ全体に占める割合を a! , a 2 , …, a i と し、 j 種類のバイ ンダを含む高温除去グループの各バイ ンダの有機バイ ンダ全体に占める割合を b, , b 2 , · · · , b j と し (∑ a i +∑ b j = 1 ) 、 低温除去グループに属 する各バイ ンダ単体の不活性ガス大気圧加熱減量テス ト ( T G ) においてある温度 Tにおける減量率を X T, , T 2 , ···, X T i と し、 高温除去グループに属する各バイ ンダ単体の不活性ガス大気圧加熱減量テス トにおいてある 温度 Tにおける減量率を y T , y Ί 2 , ··· , y T j とす る とき、 前記有機バイ ンダ中の各バイ ンダの組成は、 ∑ ( a i X x T i ) = 0. 3 となる温度 Tにおいて
∑ ( b i X y T j ) ≤ 0. 0 5
∑ b i ≥ 0. 1
という条件を満たすように選ばれている、 請求項 1 に記載 の超硬合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法。
3. 前記第 1除去工程から前記第 2除去工程へ移行する 温度 Tは、
∑ a i x x T: 〉 0. 3
∑ b j x ( 1 - y T i ) > 0. 0 5
という条件を満たすように選ばれている、 請求項 2 に記載 の超硬合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法。
4. 前記低温除去グループは、 親水性の極性基を持つ融 点 8 0 °C以下のワ ッ ク ス類を含む、 請求項 2に記載の超硬 合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法。
5. 前記低温除去グループは、 親水性の極性基をもつ融 点 8 0 °C以下のヮ ッ クス類を含む、 請求項 3 に記載の超硬 合金またはサーメ ッ ト合金の製造方法。
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引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
1991-04-04| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): CA KR US |
1991-04-04| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): CH DE FR GB IT SE |
1991-05-08| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1990913553 Country of ref document: EP |
1991-05-13| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 2041668 Country of ref document: CA |
1991-08-28| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1990913553 Country of ref document: EP |
1994-12-14| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1990913553 Country of ref document: EP |
优先权:
申请号 | 申请日 | 专利标题
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